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村田晶振,貼片晶振,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

頻率：4MHZ

尺寸：4.5*2.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

截止到2006年度,村田晶振在國內(nèi)外的所有生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)以及國內(nèi)的非生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)——村田制作所總公司、東京分公司、營業(yè)所,均取得了ISO14001認(rèn)證.此后,村田陶瓷晶振努力開展體系整合,并于2007年3月在國內(nèi)集團(tuán)的34個據(jù)點(diǎn)完成了向ISO14001多站認(rèn)證的轉(zhuǎn)變.村田晶振力求通過此舉,落實(shí)從設(shè)計、開發(fā)到村田晶振,陶瓷諧振器,村田石英晶振,村田陶瓷諧振器的生產(chǎn)、銷售的一條龍環(huán)保管理,同時還將在一部分據(jù)點(diǎn)取得顯著成效的改善事例推廣應(yīng)用到其他據(jù)點(diǎn)等,以提高整個村田晶振集團(tuán)的環(huán)保績效.
2010年3月完成了對日本村田晶振在國內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構(gòu)建的國際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了村田晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)保活動.而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進(jìn)行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個管理單位,不斷推動著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

村田晶振,貼片晶振,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

TXC晶振	單位	CSTCR晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	4MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
包裝規(guī)格	mm	180	最小訂購單位:3000
工作溫度	T_use	-0°C~+70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	300μW Max.	推薦:1~300μW
頻率公差	f_— l	±0.1%×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±0.08%×10-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	39pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	60Ω	-20°C~ +70°C, DL = 50μW
頻率老化	f_age	±0.07%×10-6/ year Max.	+25°C,第一年

4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型晶振芯片，以及相對而言頻率與超音波清潔器相近，所以會由于共振而容易受到破壞，因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計角度而言，即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設(shè)計不會發(fā)生什么問題，但因落下時的不同條件而異，有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。村田晶振,貼片晶振,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振
在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請在使用之前，懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時，請確保晶振能正常工作。
操作:請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。使用環(huán)境（溫度和濕度）:請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英無源晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。晶振/石英晶體諧振器激勵功率:在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到進(jìn)口4520壓電陶瓷晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。村田晶振,貼片晶振,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振
2.角色的分量與參考值:在ZTT陶瓷貼片晶振振蕩電路的設(shè)計中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動.

4.5*2.0mm陶瓷諧振器,CSTCR晶振,CSTCR4M00G15L99-R0晶振

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用通訊設(shè)備專用晶振探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過陶瓷水晶振子輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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