西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體
頻率:32.768KHz
尺寸:8.0*3.8mm
大多數人只知道日本西鐵城公司是做手表,時鐘產品類的,其實西鐵城公司是一個集團公司,公司有很多個分公司,也生產很多種產品,比如石英晶振系列也是西鐵城的主打產品之一,而且早在2001年就在中國建廠以生產石英晶體表晶32.768KHZ系列為主,當然最出名的,深入中國人腦海里的還是西鐵城的鐘表了。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振
西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體,該款晶振產品的體積是8.0*3.8mm,屬于大尺寸的石英晶體諧振器,是32.768K晶振中體積較大的一款,但卻沒有因此影響使用效果,通過了德國晶振協會的ROHS認證,是值得信賴的環保型晶振.
符號 |
CM200C晶振 |
西鐵城晶振基本信息對照表 |
|
Crystal標準頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C — +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C — +85°C |
西鐵城晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±20 ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負載電容 |
CL |
7pF, 9pF, 12.5pF |
可按客戶需求指定 |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C, 第一年 |
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
1.驅動能力
驅動能力說明無源晶振CM200C所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2 Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。西鐵城晶振,貼片晶振,CM200C晶體
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加CM200C貼片晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。CM200C晶振,陶瓷面進口石英晶體諧振器,32.768K無源貼片晶振
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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聯系人:茹紅青
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JLX-PD
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