微晶晶振,音叉晶體,CC1V-T1A晶振
頻率:10.000KHz~2000.000KHz
尺寸:8.0*3.7*1.75mm
微晶公司在全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環境、社會責任都有明確的行為準則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因。貼片晶振產品服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品。
供應商確認和執行原則。采納這些原則的基本原則是理解一個企業,即它的所有業務動必須完全遵守國家的法律、法規和規章它在其中運行。這些原則鼓勵參與者考慮超越法律,遵守國際公認標準,促進社會和環境責任。8037低頻貼片晶振,小型陶瓷殼封裝晶體,CC1V-T1A晶振
微晶晶振,音叉晶體,CC1V-T1A晶振.智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率.
微晶石英晶振曲率半徑加工技術:石英晶體諧振器晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算)。
微晶晶振 |
單位 |
CC1V-T1A晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10.000KHZ~2000.000KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±100 × 10-6/-40°C ~ +85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
4.0PF~12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD晶體。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。微晶晶振,音叉晶體,CC1V-T1A晶振
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝產品與SON產品
在焊接陶瓷諧振器產品和SON產品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。8037低頻貼片晶振,小型陶瓷殼封裝晶體,CC1V-T1A晶振
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的壓電石英晶體的振蕩頻率的真實值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。8037低頻貼片晶振,小型陶瓷殼封裝晶體,CC1V-T1A晶振
有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應該注意到,使用這種方法8038晶振輸出波形較小,測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。微晶晶振,音叉晶體,CC1V-T1A晶振
此外,32.768K貼片晶振振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出
圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
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