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微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無源晶振

頻率：8~24MHZ

尺寸：8.0*3.7*1.75mm

貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：0755-27837162

微晶已經發展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO等多個領域的領導供貨商，為世界一流的終端產品制造商提供從設計到量產的全方位支持，服務范圍涵蓋手機、計算機、汽車電子、手表、工業控制、植入式醫療及其他高可靠性產品。微晶，1978年成立于瑞士格倫興，為Swatch Group的供貨商，提供手表音叉式晶體的產品。微晶的管理團隊以及領導的工作人員。職位提供了一個積極的例子，在所有領域的質量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質量與成本。陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振
微晶晶振在瑞士、泰國建有生產中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產品都得到ISO9001和ISO14001的認證，并達到RoHS，REACh等規范的要求。全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上），這些是我們在未來保持競爭優勢的主要原因。微晶玻璃（MC）的管理、環境與社會責任原則執行（MES）大綱標準，以確保MC設備的工作條件，以及供應鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，是安全的，工人是尊重和尊嚴對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環境負責。

微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無源晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
超小型、超低頻石英貼片晶振晶片的邊緣處理技術：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發及生產必須解決的技術問題，為壓電石英晶振行業的技術難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩定。陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

微晶晶振	單位	CC1A-T1AH晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8~24MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C~+200°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±50× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的進口晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：線路連接的電阻（R）與晶體串聯.微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無源晶振

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( 2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果晶振的參數是正常的，但SMD晶振不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體諧振器的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。陶瓷表面封裝諧振器,8037兆赫茲晶振,CC1A-T1AH晶振

進口貼片晶振的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。微晶晶振,貼片晶振,CC1A-T1AH晶振,石英無源晶振
適當的控制兩腳貼片晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定陶瓷面兆級石英晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在8.0x3.7mm貼片晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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