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微晶晶振,石英水晶振動子,CC1A-T1A晶振

頻率：8.000MHz~30.000MHz

尺寸：8.0*3.7*1.75mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機,無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性.

訂購熱線：0755-27837162

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微晶，1978年成立于瑞士格倫興，為Swatch Group的供貨商，提供手表石英晶振的產(chǎn)品。微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。而今，微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、晶振和OCXO晶振等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商。
微晶的管理團(tuán)隊以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個積極的例子，在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質(zhì)量與成本。全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則（比如對有爭議的原材料的問題上），這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。8038陶瓷面壓電晶體,瑞士進(jìn)口貼片晶振,CC1A-T1A晶振
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微晶晶振,石英水晶振動子,CC1A-T1A晶振.小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計,滾筒的曲率半徑,滾筒的長短,使用的研磨砂的型號,多少,填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.8038陶瓷面壓電晶體,瑞士進(jìn)口貼片晶振,CC1A-T1A晶振

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微晶晶振	單位	CC1A-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8.000MHZ~30.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100/500μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。微晶晶振,石英水晶振動子,CC1A-T1A晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進(jìn)口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致石英貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致32.768K晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。8038陶瓷面壓電晶體,瑞士進(jìn)口貼片晶振,CC1A-T1A晶振
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RB-5 設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明8M無源晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加8037晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果陶瓷面晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,石英水晶振動子,CC1A-T1A晶振

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