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Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振

頻率：1~360MHZ

尺寸：13.5*11.05mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長(zhǎng)時(shí)間大量庫存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

Raltron還通過提供追求快速增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器到機(jī)器市場(chǎng)完整的無源器件封裝，包括石英晶體，TCXO，SAW濾波器，LTCC濾波器和巴倫以及相應(yīng)IC解決方案規(guī)定的各種天線。Raltron致力于通過投入大部分收入來持續(xù)增長(zhǎng)深化現(xiàn)有客戶關(guān)系，滲透新市場(chǎng)，發(fā)展前沿性能新產(chǎn)品。Raltron用于汽車應(yīng)用的水晶單元提供低調(diào)，優(yōu)異的質(zhì)量和成本性能，以滿足您的AUTOMOTIVE應(yīng)用要求。用于汽車應(yīng)用的Raltron晶體單元的優(yōu)點(diǎn)：小而薄，回流兼容，AEC Q-200質(zhì)量可靠，聲譽(yù)可靠，環(huán)境優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。引腳焊接型石英晶體,13.5*11.05mm插件晶振,A-SMD晶振
Raltron自豪地為消費(fèi)電子市場(chǎng)提供晶體，調(diào)諧叉，時(shí)鐘晶體，鋸設(shè)備，陶瓷諧振器，LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。該產(chǎn)品旨在滿足消費(fèi)者應(yīng)用的關(guān)鍵要求，如電池操作相關(guān)的低尺寸，小尺寸和低功耗。RALTRON晶振公司集團(tuán)作為“地球內(nèi)企業(yè)”，在保護(hù)地球環(huán)境方面發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。我們尊重歷史、文化和傳統(tǒng)的多樣性，并致力于“CSR經(jīng)營(yíng)”和“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”。為取得社會(huì)的信任，為推動(dòng)環(huán)境負(fù)荷最小化，RALTRON晶振集團(tuán)還開展了各種各樣的活動(dòng)。

Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型進(jìn)口石英晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。引腳焊接型石英晶體,13.5*11.05mm插件晶振,A-SMD晶振

Raltron晶振	單位	A-SMD晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	1.000MHz~360.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+105°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100~500μW Max.	推薦:100~500μW
頻率公差	f_— l	±5~±25×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±3~±10×10-6/-10°C~+60°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C, DL=100μW
頻率老化	f_age	±3×10-6/year Max.	+25°C,第一年

引腳焊接型石英晶體,13.5*11.05mm插件晶振,A-SMD晶振

無源進(jìn)口晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振
7-1:機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)金屬晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
耐焊性：將DIP晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。引腳焊接型石英晶體,13.5*11.05mm插件晶振,A-SMD晶振

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測(cè)試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過引線型壓電石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致石英諧振器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

引腳焊接型石英晶體,13.5*11.05mm插件晶振,A-SMD晶振

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在U型石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂?a title="49U插件晶振" target="_blank">49U插件晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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