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Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

頻率：3~80MHZ

尺寸：13.5*4.8mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優勢.

訂購熱線：0755-27837162

成立于邁阿密，在1983年，Raltron電子公司已經發展成為其中之一公認的石英晶振經驗豐富的頻率管理產品制造商在世界各地。從簡單音叉晶體到高穩定性控制晶體振蕩器，Raltron提供最多全行業的頻率管理設備。公司對研發的承諾使得不斷創造領先邊緣晶體和振蕩器器件和技術多年。今天，拉爾特龍提供高性能頻率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價格，質量，應用工程和客戶支持。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振
Raltron通過全球獨立銷售網絡為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個附屬辦事處，戰略地位于主要客戶附近和市場。該公司的產品由幾家大型全球經銷商分銷目錄房屋以及區域經銷商處理具體的市場.為了滿足快速增長的無線應用市場的需求，Raltron也將其定位作為一個完整的解決方案供應商，在其SMD晶體和振蕩器中添加SAW器件和LTCC濾波器發行。該公司還為同一市場開發了完整的天線產品系列。

Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術：是指石英晶體諧振器在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振

Raltron晶振	單位	ASA-SMD晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.000MHz~80.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+105°C	標準溫度
激勵功率	DL	100~500μW Max.	推薦:100~500μW
頻率公差	f_— l	±50×10-6 (標準), (±10×10-6~±50×10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±10~±50×10-6/-20°C~+70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF~32pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C, DL=100μW
頻率老化	f_age	±5×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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無源晶振產品使用每種產品時,請在石英晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。所有產品的共同點,Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振
1：抗沖擊:抗沖擊是指貼片封裝晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致進口石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振

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驅動能力:驅動能力說明49/S晶體諧振器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且Re=R1（1+Co/CL）.Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過進口貼片晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在49S貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過49SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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