Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
頻率:12.000MHz~50.000MHz
尺寸:3.2*2.5*1.0mm
電子行業有一個非常一致的趨勢,直接取決于時間 - 隨著技術越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設計要求,取決于行業需求,已經成為至關重要的。Abracon的新發布的IoT優化晶體系列專門設計用于解決越來越多的低功耗趨勢,從而導致設計人員在整個行業中面臨的跨導值下降。
Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振.陶瓷表面外殼封裝的四腳3225mm壓電石英晶體產品經歷過一段時間的低潮之后,近年來使用的用戶漸漸增加,美國進口的這款ABM8G晶振擁有全球六十多個國家和地區的生產企業在使用,采用先進的玻璃密封技術打造,為高可靠性和耐高溫特性提供了重要的保障,具有IR回流能力.
石英晶振生產工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調、封焊、撿漏、印字、老化、測試。石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復良好牢固。清洗間有很多化學試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時還有電爐烤箱,在晶振生產過程中應注意人身安全和設備安全。陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振
Abracon晶振 |
單位 |
ABM8G晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12.000MHZ~50.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對耐高溫晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些3225mm貼片晶振沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。Abracon晶振,進口晶振,ABM8G晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)陶瓷殼封裝石英晶體,3225mm壓電石英晶體諧振器,ABM8G晶振
3.測試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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