Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
頻率:32.768KHz
尺寸:6.2*2.1mm
Abracon工程副總裁Syed Raza評論說:“半導體技術致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉出來,芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益,對gm_critical指標產生不利影響。 PAS測試是診斷可預防問題的最可靠的方法。“2*6mm音叉型石英晶體,32.768K插件晶振,AB26T晶振
Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振,來自美國晶體品牌的一顆2*6mm音叉型插件圓柱晶振,在市場上非?;钴S,是應用范圍廣泛的一種32.768KHz晶振,除此之外,AB26T晶振的頻率范圍可從32KHz~100KHz之間可任意選擇一個頻率,適應性好,2*6mm的插件晶體元器件因為價格普通較低,因此仍有非常多的生產廠家在使用.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區分,所以無源晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.
Abracon晶振 |
單位 |
AB26T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用進口音叉晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致32.768K晶體特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致圓柱插件晶振不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。2*6mm音叉型石英晶體,32.768K插件晶振,AB26T晶振
輸出波形與測試電路
1.時序表
2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。2*6mm音叉型石英晶體,32.768K插件晶振,AB26T晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
3.測試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
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電話:0755-27837162
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