TXC晶振,石英晶振,8Z晶體
頻率:12.000MHz~54.000MHz
尺寸:2.5*2.0*0.55mm
臺灣晶技為一專業(yè)之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶振相關(guān)諧振器,振蕩器等頻率組件之研發(fā),設(shè)計,生產(chǎn)與銷售.經(jīng)過三十年的努力,臺灣晶技總公司而外,另設(shè)有平鎮(zhèn),寧波,重慶等生產(chǎn)基地.8Z晶振,四腳無源貼片晶振,12MHz進口石英晶體
TXC晶振,石英晶振,8Z晶體,做為臺灣首屈一指的晶振大品牌,臺灣晶技公司生產(chǎn)的這款晶振無論是尺寸,外觀還是參數(shù)性能,都可以與日系的石英晶振相提并論,8Z晶體還通過了歐盟的ROHS指令認證,因此也是一顆環(huán)保型晶振.
TXC晶振 |
符號 |
8Z晶振 |
TXC晶振基本信息對照表 |
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12.000MHz~54.000MHz |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C — +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C — +70°C |
TXC晶振特定的溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為1.0μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子 |
精度 |
f_— l |
±10ppm、±30ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
負載電容 |
CL |
8pF, 10pF, 12pF |
可按客戶需求指定 |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
TXC 2520貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。TXC晶振,石英晶振,8Z晶體
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解金屬面貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶體8Z-臺灣晶技SMD晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。8Z晶振,四腳無源貼片晶振,12MHz進口石英晶體
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。8Z晶振,四腳無源貼片晶振,12MHz進口石英晶體
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,石英晶振,8Z晶體
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
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