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IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振

頻率：15.476MHz~1300.000MHz

尺寸：7.0*5.0*1.5mm

工廠可編程時(shí)鐘輸出頻率從15.476MHz到866.67MHz,從975MHz到1,300MHz•頻率編程分辨率為218Hz和更好•一個(gè)2.5V，3.3V LVDS時(shí)鐘輸出•輸出使能控制(正極性).

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

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IDT以其智能傳感器和行業(yè)領(lǐng)先的時(shí)間組合來(lái)處理汽車(chē)應(yīng)用。IDT在德國(guó)的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車(chē)中心。IDT是為4G、5G和云計(jì)算等無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì)的高性能的領(lǐng)先創(chuàng)新者。解決方案包括行業(yè)領(lǐng)先的射頻信號(hào)鏈產(chǎn)品,串行RapidIO®,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)。
IDT積極提高貼片晶振產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而，由于產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現(xiàn)的影響，因此建議仔細(xì)考慮影響設(shè)備運(yùn)行溫度的因素，以達(dá)到最好的效果。IDT的集成電路用于世界各地的通信、計(jì)算和消費(fèi)行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市，在世界各地都設(shè)有設(shè)計(jì)、運(yùn)營(yíng)和銷(xiāo)售設(shè)施。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進(jìn)口差分晶振,8N4S270晶振
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IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振.是具有非常靈活的頻率編程功能的出廠頻率可編程晶體振蕩器。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高時(shí)鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件采用2.5V或3.3V電源供電，采用小型，無(wú)鉛（RoHS 6）6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。
該器件可以在工廠編程為15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz的范圍內(nèi)，并且支持非常高的218Hz或更高的頻率精度。擴(kuò)展的溫度范圍支持無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施，電信和網(wǎng)絡(luò)終端設(shè)備要求。
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IDT晶振	標(biāo)示	8N4S270晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	15.476MHz～1300.000MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±10×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱(chēng)	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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8N4S270 7050 LVDS

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操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用差分晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致LVDS晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進(jìn)口差分晶振,8N4S270晶振
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能差分晶體振蕩器導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。LVDS輸出晶體振蕩器,7.0*5.0mm進(jìn)口差分晶振,8N4S270晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加六腳差分晶體振蕩器振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致差分貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。IDT晶振,差分輸出晶振,8N4S270晶振

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