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IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振

頻率：15.476MHz~1300.000MHz

尺寸：7.0*5.0*1.55mm

壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

IDT-1

IDT為高性能的網絡通信應用提供了廣泛的解決方案。IDT提供高效DDR3和DDR4 LRDIMM內存接口解決方案,串行RapidIO®,PCI Express®開關和橋梁,信號完整性的產品,世界級的時機、高性能計算、高效電源管理解決方案和基于云計算的企業服務器應用程序。可編程VCXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
IDT開發了與數字系統相結合的半導體解決方案，例如處理器和內存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認為作為一個行業領導者，我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環境挑戰方面發揮了關鍵作用。IDT晶振致力于通過網站運營和產品開發，持續改進作為一個全球性的組織。

JLX-1

IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振.是具有非常靈活的頻率和拉范圍編程能力的LVDS雙頻可編程VCXO。該器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技術，以實現高時鐘頻率和低相位噪聲性能。該器件接受2.5V或3.3V電源，并封裝在小型無鉛（RoHS 6）6引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝中。器件可以工廠編程為任何兩個頻率范圍內的15.476MHz到866.67MHz，從975MHz到1300MHz到非常高的頻率精度為218Hz或更好。
帶有壓控功能的壓控晶振為（VCXO），即通過調節控制電壓改變輸出頻率。牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值。此值一般用ppm表示。通常牽引范圍大約為100 - 200ppm，取決于VCXO壓控晶振的結構和所選擇的晶體。
JLX-2

RB-2

IDT晶振	標示	8N4DV85晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	15.476MHz～1300MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標準頻率偏差	f_tol	±10×10-6 max.	初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

JLX-3

RB-3

8N4DV85 7050 VCXO LVDS

JLX-4

RB-4

清洗
關于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對單個石英晶體振蕩器產品進行試驗所得的結果，因此請根據實際使用狀態進行確認。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請盡可能避免超聲波清洗。IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
若要進行超聲波清洗，必須事先根據實際使用狀態進行確認。
撞擊
雖然壓控晶體振蕩器產品在設計階段已經考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
＜SMD產品＞
SMD晶振產品支持自動貼裝，但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試，確認其對特性沒有影響。在切斷工序等會導致基板發生翹曲的工序中，請注意避免翹曲影響到產品的特性以及軟焊。基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片晶體產品（諧振器、振蕩器、濾波器）內部傳播過大的振動，有可能導致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使用。可編程VCXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
＜引線類型產品＞
當引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時，請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導致玻璃出現裂痕，從而引起性能劣化。

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
六腳VCXO振蕩器是有源元件，因此不會受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。IDT晶振,有源晶振,8N4DV85晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使不在振蕩功率作用下，電壓控制晶振也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K范圍。可編程VCXO振蕩器,六腳金屬殼封裝有源晶振,8N4DV85晶振
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。