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智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

頻率：16.368MHz

尺寸：2.0*1.6mm

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng)，產(chǎn)品本身小型，表面貼片晶振，特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域。DSB211SDN晶振為2016進(jìn)口貼片，是日本KDS大真空生產(chǎn)一款小體積的溫補(bǔ)晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz，支持低電壓，低相位噪音，單體結(jié)構(gòu)，多用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無(wú)線通信設(shè)備等，也叫智能手機(jī)晶振，TCXO振蕩器，石英晶體振蕩器，日本進(jìn)口晶振。

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng)，產(chǎn)品本身小型，表面貼片晶振，特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域，因產(chǎn)品小型。薄型優(yōu)勢(shì)，耐環(huán)境特性，包括耐高溫。耐沖擊性等，在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性，滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

DSB211SDN晶振為2016進(jìn)口貼片，是日本大真空晶振生產(chǎn)一款小體積的溫補(bǔ)晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz，支持低電壓，低相位噪音，單體結(jié)構(gòu)，多用于手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)用無(wú)線通信設(shè)備等，也叫智能手機(jī)晶振，TCXO晶振，石英晶體振蕩器，日本進(jìn)口晶振。

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智能手機(jī)晶振,1XXD16368MGA,溫補(bǔ)晶振,2016進(jìn)口貼片,DSB211SDN

類型	DSB211SDN (TCXO)
頻率范圍	12.288?52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率	16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍	+1.68 to +3.5V
電源電壓（VCC)	+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗	+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26
輸出電平	0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負(fù)載	10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定性	±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C ±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動(dòng)時(shí)間	最大 2.0ms
包裝單位	3000 個(gè)/卷（Φ180）

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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