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首頁 泰藝晶振

泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

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產品簡介

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產品詳情

TY-2

泰藝石英晶振公司自公司成立以來,秉持對環境保護承諾之宣言:『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從以下政策:
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產品對環境產生之沖擊,避免使用會造成污染之原物料及制程;對污染之防治應從根源解決問題,以《不產生、不使用》為最高指導原則.
2.若無法避免需產生或使用時,應管制單位產生量及使用量,做持續性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量,水電等消耗性(能)資源使用,應從系統研究改善使用效率,以達成節約能源之目標.
3.公司所有活動皆遵循環保法規及承諾,作好SMD晶振綠色設計與生產以及污染預防,減少使用危害環境的原物料,積極節約材料資源,降低對整體環境沖擊的影響,實施相關預防矯正、持續改善作業,落實與維護環境保護,響應全球環保運動.
4.藉由環境稽核確認環境改善績效,使公司所有活動過程均能達成環境目標及標的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻愛護地球的一份心力.

JLX-1

TY-1

泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振.小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,智能手機,智能手環,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.32.768K系列晶振具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性.
泰藝石英晶振離子刻蝕調頻技術:比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻,主要在產品參數有以下提升:1.微調后調整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升;3.產品的長期老化率可保證在±3ppm之內.

JLX-2

RB-2

泰藝晶振規格

單位

XN晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.1μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6(標準),

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±20 × 10-6/-40°C~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

9pF、12.5PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

XN 6914XN 8038

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體諧振器性能受到損害,因此應避免照射。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示小體積貼片晶振單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在8038貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3. 負載電容
如果32.768K手機晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,XN晶振,7015晶振,8038晶振

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頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數設置參考

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