Statek國際晶振集團不斷改進設計,優(yōu)化工藝,調整工廠布局,采取相應措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻.
Statek晶振,石英晶振,CX1HT EXT晶振.8038mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
Statek晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此無源晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。
STATEK晶振 |
單位 |
CX1HT EXT晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
530.000KHZ~2.100MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-55°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
3μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±500 × 10-6(標準), |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±500× 10-6/-55°C~+200°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +125°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
SMD晶體可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶體諧振器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。Statek晶振,石英晶振,CX1HT EXT晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞壓電石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
歐美貼片晶振的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。Statek晶振,石英晶振,CX1HT EXT晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在8038晶振的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于進口貼片晶振的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。