自從歐盟頒布各項綠色環(huán)保指令(如RoHS)后,世界各國已陸續(xù)制定公布相關(guān)之法令規(guī)章,推動「綠色產(chǎn)品」的發(fā)展.泰藝電子為了對環(huán)境與人類貢獻(xiàn)一己之力,導(dǎo)入綠色設(shè)計之概念,致力生產(chǎn)符合國際綠色環(huán)保指令與客戶特殊要求有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振.我們知道,人類的永續(xù)發(fā)展需要干凈的環(huán)境,如果我們產(chǎn)品中的物質(zhì)會對環(huán)境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產(chǎn)品的功能再先進(jìn)再齊全,也無法對環(huán)境與社會帶來多大的幫助.
泰藝石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XI晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4.000MHZ~80.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
800μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF~16PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管無源晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。泰藝晶振,進(jìn)口插件晶體,XI晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存插件晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的高精度進(jìn)口DIP晶振的振蕩頻率的真實值,
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。泰藝晶振,進(jìn)口插件晶體,XI晶振
有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。
然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法進(jìn)口無源晶振輸出波形較小,測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
此外,石英晶振49S振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出
圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。