希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售。從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務。 營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務予世界電子大廠。
導入先進無源晶振微機電制程創新研發技術,敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產,藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。2003年通過ISO14001環境管理系統驗證,秉持“污染預防、持續改善”之原則,公司事業廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數據符合政府法規要求。并由原材料管控禁用或限用環境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色產品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證。
希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻,常用負載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產能力,主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛,具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶體諧振器真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.
希華晶振 |
單位 |
LP-2.5晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.5MHz~80.000MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+90°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C,-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50× 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±50× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
石英DIP晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英進口晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。(2)陶瓷封裝貼片晶振在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產品:產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂(開裂),也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當兩腳石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過插件石英晶振振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線。)希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振
振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在49S插件石英晶體諧振器振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路。探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過輸入49S插件晶振振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。