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首頁(yè) 日蝕晶振

ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振

ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

產(chǎn)品詳情

ECLIPTEK-1

服務(wù)是Ecliptek日蝕晶振成功的基石.我們時(shí)時(shí)為客戶著想,盡力滿足并超越客戶對(duì)于我們的石英晶振,貼片晶振,電壓晶體元件,晶體振蕩器,有源晶振等產(chǎn)品的質(zhì)量要求以及服務(wù)價(jià)值.憑借先進(jìn)的設(shè)備一流的技術(shù)以及公司訓(xùn)練有素的服務(wù)團(tuán)隊(duì),多方面的滿足各領(lǐng)域客戶的不同需求,從而成為晶振行業(yè)內(nèi)的最佳資源之一.
Ecliptek日蝕晶振公司成立于1987年,是一家石英晶振晶體,貼片晶振頻率元件控制市場(chǎng)上公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者.日蝕晶振公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┳詈玫氖⒕w,貼片晶振,石英水晶和有源晶振,石英晶體諧振器,貼片振蕩器產(chǎn)品.日蝕晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.

JLX-1ECLIPTEK-2

ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹(shù)脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英進(jìn)口晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。

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RB-1

日蝕晶振

單位

EUAA18-20.000M晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

20MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use


標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

100μW Max.

推薦:1μW~100μW

頻率公差

f_— l

±50× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±100× 10-6/-20°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

18pF

超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-0°C~ +70°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

EUAA18-20.000M 11.18_4.7

JLX-4

RB-4

插件型晶振安裝注意事項(xiàng):安裝時(shí)的注意事項(xiàng)導(dǎo)腳型晶振• 構(gòu)造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2)。焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳離開(kāi)玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接。另外,如果利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損。因此,請(qǐng)注意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下)。ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振

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修改插件晶振彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),以及要取出晶振等情況下不能強(qiáng)制拔出導(dǎo)腳,如果強(qiáng)制地拔出導(dǎo)腳,會(huì)引起玻璃的破裂,而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3)(2) 要修改彎曲的導(dǎo)腳時(shí),要壓住外殼基側(cè)的導(dǎo)腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進(jìn)行修改(參閱圖 4)

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彎曲導(dǎo)腳的方法(1) 將導(dǎo)腳彎曲之后并進(jìn)行焊接時(shí),導(dǎo)腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出導(dǎo)腳的直線部位而將導(dǎo)腳彎曲,有可能導(dǎo)致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6)(2) 在導(dǎo)腳焊接完畢之后再將導(dǎo)腳彎曲時(shí),務(wù)必請(qǐng)留出大于外殼直徑長(zhǎng)度的空閑部分 (參閱圖7)如果直接在外殼部位焊接,會(huì)導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度的下降,使無(wú)源DIP晶振特性惡化以及晶振芯片的破損。應(yīng)注意將晶振平放時(shí),不要使之與導(dǎo)腳相碰撞,請(qǐng)放長(zhǎng)從外殼部位到線路板為止的導(dǎo)腳長(zhǎng)度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長(zhǎng)度(D)

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定49U插件晶振振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUAA18-20.000M晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在插件石英晶振振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

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振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在49U插件晶體振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)49U石英晶振小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。

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