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Raltron還通過提供追求快速增長的物聯網和機器到機器市場完整的無源器件封裝，包括石英晶體，TCXO，SAW濾波器，LTCC濾波器和巴倫以及相應IC解決方案規定的各種天線。Raltron致力于通過投入大部分收入來持續增長深化現有客戶關系，滲透新市場，發展前沿性能新產品。Raltron用于汽車應用的水晶單元提供低調，優異的質量和成本性能，以滿足您的AUTOMOTIVE應用要求。用于汽車應用的Raltron晶體單元的優點：小而薄，回流兼容，AEC Q-200質量可靠，聲譽可靠，環境優良等優點。
Raltron自豪地為消費電子市場提供晶體，調諧叉，時鐘晶體，鋸設備，陶瓷諧振器，LTCC RF陶瓷產品和天線。該產品旨在滿足消費者應用的關鍵要求，如電池操作相關的低尺寸，小尺寸和低功耗。RALTRON晶振公司集團作為“地球內企業”，在保護地球環境方面發揮著領導作用。我們尊重歷史、文化和傳統的多樣性，并致力于“CSR經營”和“環境經營”。為取得社會的信任，為推動環境負荷最小化，RALTRON晶振集團還開展了各種各樣的活動。

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Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境條件下,晶振也能正常工作,具有穩定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型進口石英晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內，由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導致產品在客戶端不能正常使用，晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題，公司在此方面通過理論與實踐相結合，模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。

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Raltron晶振	單位	A-SMD晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	1.000MHz~360.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+105°C	標準溫度
激勵功率	DL	100~500μW Max.	推薦:100~500μW
頻率公差	f_— l	±5~±25×10-6(標準)	+25°C對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±3~±10×10-6/-10°C~+60°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	10pF~32pF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C,DL=100μW
頻率老化	f_age	±3×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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無源進口晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振
7-1:機械振動的影響:當金屬晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
耐焊性：將DIP晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過引線型壓電石英晶體振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.Raltron晶振,石英晶振,A-SMD晶振,無源晶振

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致石英諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在U型石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制49U插件晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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