自1944年創(chuàng)業(yè)以來(lái),村田得到了巨大的發(fā)展,在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度,營(yíng)業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬(wàn)億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長(zhǎng)期以來(lái)的大力支持。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到數(shù)碼電子產(chǎn)品,家用電器,比如電話機(jī),游戲機(jī)等電子產(chǎn)品.村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的陶瓷晶振及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
村田制作所總公司、東京分公司、營(yíng)業(yè)所,均取得了ISO14001認(rèn)證.此后,村田陶瓷晶振努力開(kāi)展體系整合,并于2007年3月在國(guó)內(nèi)集團(tuán)的34個(gè)據(jù)點(diǎn)完成了向ISO14001多站認(rèn)證的轉(zhuǎn)變.村田晶振力求通過(guò)此舉,落實(shí)從設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)到村田晶振,陶瓷諧振器,村田石英晶振,村田陶瓷諧振器的生產(chǎn)、銷售的一條龍環(huán)保管理,同時(shí)還將在一部分據(jù)點(diǎn)取得顯著成效的改善事例推廣應(yīng)用到其他據(jù)點(diǎn)等,以提高整個(gè)村田晶振集團(tuán)的環(huán)保績(jī)效.2010年3月完成了對(duì)日本村田晶振在國(guó)內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過(guò)所構(gòu)建的國(guó)際化環(huán)保管理系統(tǒng),進(jìn)一步強(qiáng)化了村田晶振集團(tuán)的管制,能夠推進(jìn)更加有效且具有更高實(shí)效性的環(huán)保活動(dòng).
村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英貼片晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
TXC晶振 |
單位 |
TAS-5032F晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
包裝規(guī)格 |
mm |
255 |
最小訂購(gòu)單位:3000 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
驅(qū)動(dòng)電平 |
DL |
60μW |
推薦:1~300μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
60Ω |
-20°C~ +70°C,DL = 50μW |
頻率老化 |
f_age |
±1×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來(lái)沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥?,懇?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確無(wú)源石英晶振能正常工作。村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英晶體終端的兩個(gè)信號(hào),如果沒(méi)有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號(hào),而是從在終端(辛)輸出沒(méi)有信號(hào),請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試進(jìn)口SMD晶振的頻率和負(fù)載電容,看看他們是否能振動(dòng),也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。
如果有下列情況發(fā)生,貼片晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì),是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下:
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的5032mm無(wú)源石英諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)5032封裝晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或5032無(wú)源晶振不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)5032貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。