RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應用晶振,RENESAS晶振,XL有源差分晶振,XLL338190.000000K晶振,3225mm晶振,石英晶體振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率190MHz,工作溫度-40~105°C,電壓3.3V,耐高溫晶振,高可靠性晶振,6G應用晶振,工業應用晶振,監控攝像機晶振,車載CCD相機晶振.
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應用晶振特點:
•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•相位抖動(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•供電電壓:2.5V或3.3V
•包裝選項:
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•7.0 × 5.0 × 1.3 mm
•工作溫度:-20℃~ +70℃
•頻率穩定性選項:±20,±25,±50,或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+85°C
•頻率穩定性選項:±25,±50,或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)
•頻率穩定性選項:±50或±100ppm
•kV 85ppm/伏,典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)
•Vc范圍線性度優于±10%
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應用晶振參數表
4ps Typ
項目
符號
規格說明
條件
額定頻率
f_nom
190MHz
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓
Vcc
3.3V±0.3V
儲存溫度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作溫度
T_use
-40℃~ +105℃
頻率公差(標準)
f_tol
±20 ppm
+25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息
供電電流
IDD
47mA Max
LVDS 40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
對稱性
SYM
47%~53%
Atoutputscrossing point
輸出負載
L_LVDS
100Ω
LVDSDifferential.
輸入電壓
VIH
70%VDD Min
LVDS
VIL
30%VDD Max
上升下降時間
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間
t str
10ms Max
VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動
JPER
LVDS
相位抖動
tpj
890 fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±3ppm/year
+25℃,第一年
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應用晶振尺寸圖