ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡(jiǎn)單，成為32.768K晶振和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場(chǎng),在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)和全球化，ILSI通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和收購(gòu)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶群。
1995年，ILSI晶振北京中國(guó)辦事處開(kāi)業(yè)。1998年，ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開(kāi)業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開(kāi)業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo)，這些實(shí)體由直接員工提供，以支持我們?cè)诒泵溃鞲纾瑏喼藓蜌W洲快速增長(zhǎng)的客戶群。

ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)32.768KHZ以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：石英晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。陶瓷面封裝晶振,32.768KHZ頻點(diǎn)晶體,KX-327S晶振

這些晶振知識(shí)介紹是指，陶瓷面晶振在產(chǎn)品上線之后發(fā)生不良品或者沒(méi)反應(yīng)的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規(guī)則或根本無(wú)法全部晶振找出得到了應(yīng)用操作，請(qǐng)使用以下的清單找出可能存在的問(wèn)題。請(qǐng)按照確定的因素和可能的解決方案的說(shuō)明。我們從晶振使用輸出無(wú)信號(hào)開(kāi)始尋找相關(guān)問(wèn)題。ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英晶體諧振器終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒(méi)有信號(hào)輸出，請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒(méi)有信號(hào)，請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試石英進(jìn)口晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì)，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下：陶瓷面封裝晶振,32.768KHZ頻點(diǎn)晶體,KX-327S晶振

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致7015四腳焊接晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振,進(jìn)口無(wú)源晶振

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量7015貼片晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在音叉型7015mm諧振器電路上的的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)32.768K手機(jī)晶體輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。陶瓷面封裝晶振,32.768KHZ頻點(diǎn)晶體,KX-327S晶振