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首頁 百利通亞陶晶振

百利通亞陶晶振,貼片晶振,F9晶振

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產品簡介

貼片石英晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性.

產品詳情

BLT-2

Diodes 公司總部及美洲銷售辦公室位于美國德州普拉諾 (Plano) 與加州米爾皮塔斯 (Milpitas)。設計、營銷與工程中心位于普拉諾、米爾皮塔斯、臺灣臺北;臺灣桃園市、臺灣竹北市、英國曼徹斯特及德國紐豪斯 (Neuhaus)。該公司生產設施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質獎。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證。
百利通亞陶晶振集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放.我們將在關注于預防環境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環境、健康和安全問題的注意. 我們將依據技術進步以及對安全、健康和環境科學全新的解釋持續地改進我們的業務.

JLX-1

BLT-1

百利通亞陶晶振,貼片晶振,F9晶振.5032mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.
亞陶石英晶振的切型。采用高速線切割技術:1.優化及嚴格規范線切割機各項設備參數;2.通過試驗精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認最優的石英晶振切割工藝參數。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產效率。

JLX-2

RB-2

亞陶晶振

單位

F9晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8.000MHz~125.000MHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C~+70°C/-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

10μW Max.

推薦:10μW~100μW

頻率公差

f_— l

±10×10-6(標準),
(±10×10-6~
±50×10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30~±50× 10-6/-40°C~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF~32pF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL=100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

F9 5032

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米。

cptj11

限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FLQ晶振
適當的控制電阻值(RD)取決于臺灣晶體諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

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