希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售。從人工晶棒長成到最終產品，透過最佳團隊組合及先進之生產技術，建立完整的產品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等，以健全的供應煉系統，為客戶提供全方位的服務。藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合，不斷開發創新及制程改造，以全系列完整產品線，來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發新產品，多角化經營、擴大市場領域，此亦為公司得以永續經營的方針。
2003年通過ISO14001環境管理系統驗證，秉持“污染預防、持續改善”之原則，公司事業廢棄物產出量逐年降低，可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高，各項石英晶體諧振器排放檢測數據符合政府法規要求。并由原材料管控禁用或限用環境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色產品的要求相符，于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證。希華晶體科技本于‘善盡企業責任、降低環境沖擊、提升員工健康’的理念，執行各項環境及職業安全衛生管理工作；落實公司環安衛政策要求使環境暨安全衛生管理成效日益顯著，不僅符合國內環保、勞安法令要求，同時也能達到國際環保、安全衛生標準。

希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺產諧振器,二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環保性能,嚴格的頻率分選,編帶盤裝,可應用于高速自動貼片機焊接,產品本身設計合理,成本和性能良好,產品被廣泛應用于平板電腦,MP5,數碼相機,USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
石英晶振離子刻蝕調頻技術：白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標頻率: 標稱頻率±1000 PPM。（蒸鍍微調、離子微調）3.3.1、Space：被銀時放置石英晶振晶片的治具。根據貼片晶振晶片的直徑（長度、寬度）、厚度選用合適尺寸的Space，尺寸過大容易造成被銀電極偏位，尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK：被銀電極。一般情況下，石英晶振頻率低選用大尺寸 MASK，貼片晶振頻率高選用小尺寸MASK，對同一規格產品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對有特殊要求（如 C0、C1、C0/C1、TS 等）的產品，在計算和試驗的基礎上選用合適的 MASK。對高頻產品（尤其是高頻 Fund）Mask 大，產品容易產生寄生。

所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指進口晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺產諧振器
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

振蕩補償：除非在5032貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺產諧振器

測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過5032陶瓷諧振器振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

晶體諧振腔的形式模式，但5032陶瓷面貼片晶振泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過5032二腳晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。