TXC晶振,32.768K有源晶振,ACZ晶振,ACZ-32.768KBE-T晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊盤(pán)的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.

臺(tái)灣晶技為一專(zhuān)業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商，自1983年成立以來(lái)，始終致力于石英晶體相關(guān)諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) ,貼片晶振等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，并因應(yīng)市場(chǎng)應(yīng)用與需求，透過(guò)自主核心技術(shù)，成功開(kāi)發(fā)出各式感測(cè)組件(Sensor)，產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車(chē)用、電信、醫(yī)療…等市場(chǎng)。多年來(lái)，我們始終以提升客戶(hù)價(jià)值為目標(biāo)，是以無(wú)論在價(jià)格、質(zhì)量、交期、服務(wù)等方面，均盡力盡心于超越客戶(hù)的期待，并以能成為客戶(hù)最佳的策略合作伙伴自我敦促。

TXC晶振目前專(zhuān)業(yè)從事這些類(lèi)別的產(chǎn)品：晶體（32.768kHz，基本兆赫，高精度的兆赫，汽車(chē)級(jí)）愿景宣言:矢志提供信息、通訊、光電、汽車(chē)產(chǎn)業(yè)頻率控制組件所需之各項(xiàng)應(yīng)用產(chǎn)品，并于2015年達(dá)成兩百億之營(yíng)業(yè)目標(biāo)，同時(shí)成為全球壓電石英晶體產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)績(jī)效最好公司之一以及石英產(chǎn)業(yè)的前三大。

臺(tái)產(chǎn)TXC32.768K有源石英進(jìn)口晶振型號(hào)列表：

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。TXC晶振,32.768K有源晶振,ACZ晶振,ACZ-32.768KBE-T晶振

4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致5032晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,32.768K有源晶振,ACZ晶振,ACZ-32.768KBE-T晶振

此外，進(jìn)口石英晶體振蕩器振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在5032mm壓電石英晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)5032M普通有源晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。