国产色播,最新欧美精品一区二区三区,久久天天躁狠狠躁夜夜avai

當前位置：首頁 » 貼片晶振 » ILSI晶振 » ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進口石英晶振

prevnext

ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進口石英晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.0*3.8mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

2013年，ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現有的32.768K系列頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應鏈。ILSI現在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設兩個新的區域銷售辦事處，負責處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎設施下的品牌實體進行了積極的營銷和銷售。通過無源晶振增長和收購帶來的銷量增加需要重新調整我們的銷售渠道，以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區代表組成，覆蓋50個美國，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國，波蘭，德國，法國，意大利，奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商，地區分銷，美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎設施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進口石英晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

ILSI晶振晶振	單位	IL3M晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	-0.034× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻,貼片石英晶體的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進口石英晶振

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果小型貼片晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

振蕩補償:除非在32.768K常規頻點晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進口石英晶振

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量8038貼片晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768K低頻石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于8038晶體諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

進口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振