1972年Q-Tech晶振公司在美國加利福尼亞州成立，自創辦以來，一直深入研究性能好的石英晶體振蕩器產品，并為太空空間站，航天設備供應晶振，公司通過了ISO9001和AS9100認證。主要服務井下探測，航天航空，軍工設備，通信網絡等領域，改進了小型化，高頻率，低成本的設計方案，Q-Tech晶體振蕩器融合了多項新的技術和工藝，專門為太空設備研發并生產出多款空間振蕩器。

空間產品歷史

1985年Q-Tech決定進入太空應用市場并收到MILSTAR計劃的第一份訂單。事實上，Q-Tech連續兩年獲得了TRW“年度供應商獎”。

1994年，Q-Tech成為幾乎所有衛星的混合石英晶體振蕩器的主要供應商制造商在美國。

1999年，Q-Tech因其對卡西尼計劃的貢獻而獲得JPL/NASA獎。今天是2014年至今，Q-Tech在空間市場服務了29年，并且在設計方面取得了長足的進步經驗豐富，品質卓越，飛行歷史記載眾多，推出了大量新產品。

Q-TECH輻射硬度保證計劃

1.0資格

1.1所有活躍的EEE組件都具有輻射（總電離劑量，位移損傷，和單個事件影響）特征數據代表了飛行批次設備的部件飛行申請。

2.0總電離劑量測試

2.1總電離劑量（TID）是給定材料中由能量產生的吸收劑量電離輻射的沉積。TID是通過電離在介質中沉積的能量的量度每單位質量的輻射。

2.2總電離劑量（TID）是一種長期失效機制，而SEE則是瞬時失效失敗機制。

2.3總電離劑量測試按照MIL-STD-883測試方法1019.7或MIL-STD-750測試方法1019.5。

2.4測試條件代表預期應用中的最壞情況，通常為2倍余量。

2.5對于可能易受ELDRS影響的線性雙極集成電路和半導體器件，測試在0.001Rad（Si）/s至0.1Rad（Si）/s至50kRad（Si）或100kRad（Si）下進行，兩者均為動力和無動力。

3.0位移損傷測試

3.1位移損傷（DD）是核相互作用的結果，通常是散射引起的晶格缺陷。質子可能會導致雙極器件的位移損壞。移位損壞是由于質子，電子和電子的累積長期非電離劑量損傷中子。進入的粒子和晶格原子之間的碰撞隨后發生位移來自原始晶格位置的原子。

3.2位移損壞試驗按照MIL-STD-750試驗方法1017.1或MIL-STD-883測試方法1017.2。

3.3可以用中子位移損傷或質子位移損傷來表征轉換為等效的1MeV中子損傷能量密度。4.0組合總電離劑量和位移損傷效果.。

4.1如果使用單獨的樣品進行總電離劑量和位移損傷，則效果如下按MIL-HBK-814中的描述進行分析。

4.2樣品可用于提供的位移損傷和電離劑量測試在完全電離劑量測試之前進行位移損傷（中子）測試。

5.0零件降級設計限制

5.1部件降級的設計數據限制應基于MIL-HBK-814以確保批次滿足0.99/90（99％的人口在90％置信水平）統計標準。特別GPSIII設計限制要求0.9999/90（99.99％和90％置信度）。

6.0單次事件（SEE）測試

6.1在空間軌道中使用的有源EEE組件，可能容易受到單一事件的影響所需的測試數據足以計算預期的單一事件影響率應用。

6.2單事件效應（SEE）是對電路正常運行造成的干擾單個離子通過或靠近電路中的敏感節點。SEE可能具有破壞性或非破壞性的。破壞性SEE包括單事件閉鎖（SEL），單事件燒毀（SEB）和單事件門破裂（SEGR）。非破壞性SEE包括單事件擾亂（SEU），單事件瞬變（SET）和單事件功能中斷（SEFI）。

6.3重離子測試單事件閂鎖，燒壞，瞬態和紊亂。適當的偏見和工作條件：最壞情況偏置和閉鎖溫度，燒壞。對于單一事件鐓粗，瞬態，偏置和工作條件是最低工作電壓和空間溫度環境。

6.4能量損失測量-線性能量轉移（LET）：測量材料中的能量沉積，例如硅。LET單位是MeV/mg/c㎡（每面密度的能量）。

6.5橫截面是一種易感性的度量，單位是c㎡（區域）。

Q-TECH設計標準符合輻射規格限制

1.0查看每個客戶的輻射硬度要求。盡量確保任務的石英晶振參數因為可靠性，可用性，操作性和壽命都得到滿足。參見下圖中的示例。

2.0涉及的人員包括輻射工程師，可靠性工程師，組件工程師和設計工程師。

3.0應用設計指南并降低輻射保證余量。

4.0采購適用于應用的RHA水平的EEE活性組分。搜索可用符合要求的輻射硬化組件。搜索商業替代品可能會被篩選出來。

5.0從組件級別的供應商處獲取輻射測試數據。可能需要進行額外的測試驗證和驗證。

6.0對完成的貼片振蕩器（如有必要）執行TID測試，以收集用于最壞情況分析的數據（WCA）。

后TID輻射測試結果如下所示，20-FlatPack3.3Vdc空間時鐘為80.000MHz旨在滿足輻射要求。

核武器環境

核武器的輻射主要由光子（X射線和γ射線）和中子組成。在小于20ns內發射的即時輻射產生已知的瞬態電離脈沖作為劑量率脈沖。Q-Tech測試程序，用于快速劑量閂鎖和組件和組件的紊亂振蕩器的水平得以實施。劑量率測試通常在電子線性上進行加速器（LINAC）或閃光X光機確定鐓粗的閾值劑量率。劑量速率單位是rad/sec。

Q-TECH是GPSIII空間時鐘振蕩器的供應商

Q-Tech是GPSIII計劃所有高可靠性空間混合振蕩器的現有供應商應驗證所有半導體器件和微電路的輻射質量一致性維護以保證所有飛行單位的生存能力。洛克希德馬丁公司的GPSIII核硬度保證計劃（NHAP）3GPS-PN-07-0014是符合TOR-2006（1590）-4432附錄B，GPSIII零件材料和過程控制，計劃要求和TOR-2006（1590）-4430的附錄A，GPSIII技術電子零件，材料和工藝要求。下圖顯示了用于GPSIII的NPN微波晶體管的Q-TechRLAT測試計劃的示例空間時鐘。

Q-TECH輻射測試活動

Q-Tech在Space中的第一個設計是一個5.0VdcTTL邏輯，它使用一個NPN晶體管2N2222ASprague驅動8輸入正NAND門TI。Q-Tech開始評估有源元件的輻射硬度通過元件測試或OSC晶振級別確保。第一次輻射測試早在1991年

一直持續到今天。

Q-Tech通過直接測試或與我們的供應商合作，積累了輻射庫顧客。今天我們有超過數百個測試結果。

1998年各種Q-TECH振蕩器的TID（HDR）測試結果。

標準空間時鐘的典型測試TID（HDR）

用于劑量率UPS的閃光X射線測試和空間時鐘上的鎖定

在TAMU和美國伯克利以及比利時的兩個回旋加速器設施進行單事件測試。該測試使用15MeVSEE光束至40MeV光束范圍（低LET）。

圖顯示了QT88上的測試截面的橫截面

QT88系列振蕩器中SEE的威布爾參數和速率計算

圖1顯示了MRFC901MOTOROLANPN晶體管的三角形應用一類S電壓調節器HS-117RH的LDR線路調節的例子進入最壞情況分析

供應商數據表顯示空間調節器HS117-RH的最低情況下的電壓調節劑量率TID測試為±0.2％/V.

Q-Tech將最壞情況的輻射測試用于空間設計的模擬。輻射下最差情況下的半導體和微電路參數（hFE，頻率delta，Line調節電壓，電壓偏移等用于計算最壞情況分析。

B+振蕩器的Q-TECH輻射測試

Q-Tech有一個強大的輻射計劃，了解空間應用的環境，設計和建造空間級混合時鐘振蕩器以滿足或超過要求。輻射硬度測試為自然空間輻射環境提供了緊密的模擬。該輻射測試在MIL-PRF-55310C組測試的第2組中是可選的，并且只能在以下情況下執行客戶要求。

Q-Tech于2009年成功推出了B+航天低軌道應用.Q-Tech上線并采用2.0μmCMOSFACT技術和1.3μmBiCMOS至MIL-PRF-38534，K級輻射批次驗收測試（RLAT）涵蓋高劑量率的總電離劑量（TID）測試（HDR）和低劑量率（LDR），以及單事件效應（SEL，SEU）。B+產品線涵蓋CMOS+2.5Vdc，+3.3Vdc和+5Vdc，低至15kHz至220MHz的晶振頻率，以及40MHz至40MHz的LVDS 350MHz+2.5Vdc和+3.3Vdc。在每個晶圓批次上進行輻射測試，可追溯到晶圓數量。

47年以來，美國Q-Tech晶振公司開發的有源晶振型號有非常多款，主要有OSC晶振，TCXO溫補晶振，VCXO壓控晶振，OCXO恒溫晶振等系列，另外還有量產SAW聲表面濾波器，主要是應用到航天工程，因此規格和品質非常高。同時也可以用于其他高端產品，可發揮出優良的低相位抖動，低相噪，低功耗，低電壓，低損耗，低電平等特性。