手機版
Golledge最新“出爐“的GVXO-338壓控晶振系列性能參數介紹
Golledge最新”出爐”的GVXO-338壓控晶振系列性能參數介紹
6月的新聞通訊還采用了Golledge晶振公司全新的壓控振蕩器GVXO-338(可提供高達125MHz的頻率)以及世界上最低功耗的RTCRV-3028-C7.我們的專家團隊將繼續以安全可靠的方式工作,以確保您的頻率組件供應在這段時間內受到的影響盡可能小.GVXO-338L超小型壓控振蕩器的頻率范圍可低至1.250MHz至125MHz.這款VCXO具有3.3V的電源電壓和標準的15pFCMOS驅動能力,僅需13mA的低電源電流.GVXO-338L的電壓控制范圍為1.65V±1.5V,線性度為10％,可產生最小±90ppm的寬頻率可拉性.
GVXO-338L晶振具有低電流消耗的CMOS3.3V表面貼裝VCXO
拉范圍廣
低電流消耗
3.3V電源
小型SMD封裝
有競爭力的價格
技術指標參數表:
|
頻率范圍 |
1.250~125.0MHz |
|
外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
|
電壓控制 |
+1.65V±1.5V,線性度10％ |
|
儲存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
電源電壓(VDD) |
+3.3V(±5％) |
|
電源電流 |
最大13mA |
|
駕駛能力 |
15pFCMOS |
|
邏輯水平 |
'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值 |
|
波形對稱 |
最大40:60@50％VDD |
|
上升/下降時間(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
啟動時間 |
最長10ms |
GVXO-338K壓控振蕩器的頻率范圍低至1.250MHz至100MHz,電源電壓為2.8V.GVXO-338K還具有標準的15pF CMOS驅動能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面貼裝封裝.這款超小型SMVCXO具有僅9mA的超低電源電流要求,并具有10％的線性度,1.4V±1.35V的寬電壓控制范圍.
GVXO-338K具有低電流消耗的CMOS2.8V表面貼裝VCXO振蕩器
低電流消耗
2.8V電源
小型SMD封裝
有競爭力的價格
技術指標參數表:
|
頻率范圍 |
1.250~100.0MHz |
|
外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
|
電壓控制 |
+1.4V±1.25V,線性度10％ |
|
儲存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
電源電壓(VDD) |
+2.8V(±5％) |
|
電源電流 |
最大9mA |
|
駕駛能力 |
15pFCMOS |
|
邏輯水平 |
'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值 |
|
波形對稱 |
最大40:60@50％VDD |
|
上升/下降時間(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
啟動時間 |
最長10ms |
GVXO-338G超小型壓控振蕩器的頻率范圍可低至1.250MHz至100MHz.該VCXO具有1.8V的低電源電壓和標準的15pF CMOS驅動能力,僅3mA的超低電源電流要求和0.9V±0.85V的寬電壓控制范圍,具有10％的線性度,可產生±至少90ppm.
GVXO-338G貼片晶振具有低電流消耗的CMO S1.8V表面貼裝VCXO
低電流消耗
1.8V電源
小型SMD封裝
有競爭力的價格
技術指標參數表:
|
頻率范圍 |
1.250~100.0MHz |
|
外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
|
電壓控制 |
+0.9V±0.85V,線性度10％ |
|
儲存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
電源電壓(VDD) |
+1.8V(±5％) |
|
電源電流 |
最大3mA |
|
駕駛能力 |
15pFCMOS |
|
邏輯水平 |
'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值 |
|
波形對稱 |
最大40:60@50％VDD |
|
上升/下降時間(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
啟動時間 |
最長10ms |
GVXO-338S壓控振蕩器的頻率范圍低至1.0MHz至90MHz,電源電壓為5.0V.GVXO-338S還具有標準的15pF CMOS驅動能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面貼裝封裝.該超小型貼片石英晶振 VCXO還具有僅20mA的低電源電流要求和2.5％±2.0V的寬電壓控制范圍,并具有10％的線性度.
GVXO-338S具有低電流消耗的CMOS5.0V表面貼裝VCXO
拉范圍廣
低電流消耗
5.0V電源
小型SM封裝
有競爭力的價格
技術指標參數表:
|
頻率范圍 |
1.0~90.0MHz |
|
外形尺寸 |
3.2x2.5x1.15mm |
|
電壓控制 |
+0.9V±0.85V,線性度10％ |
|
儲存溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
電源電壓(VDD) |
+2.5V±2.0(±5％) |
|
電源電流 |
最大20mA |
|
駕駛能力 |
15pFCMOS |
|
邏輯水平 |
'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值 |
|
波形對稱 |
最大40:60@50％VDD |
|
上升/下降時間(20%~80%VDD) |
最多5ns |
|
啟動時間 |
最長10ms |
包裝尺寸圖:
Golledge最新”出爐”的GVXO-338壓控晶振系列性能參數介紹
