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回顧KDS集團推出的一款1008mm超薄貼片晶體產品信息
回顧KDS集團推出的一款1008mm超薄貼片晶體產品信息
2018年日本大真空株式會社,一般習慣用簡稱KDS晶振來稱呼,在這一年他們推出了四款款非常小、輕、薄型的貼片晶振,厚度只有0.13mm和0.23mm,長和寬分別是1.0×0.8mm和0.8×0.6mm.到目前為止,仍然是業界最小體積的系列,這款晶振的型號分別是DX1008J,DX0806J,DS1008J和DB1008J.其中DX開頭的是普通的石英晶體,DS開頭的SPXO振蕩器,DB開頭的是TCXO晶振,不同的分類可滿足廣大生產廠家的需求.
大真空株式會社(長谷川社長)已將“Arch.3G”系列晶體計時裝置商業化,該裝置通過與常規裝置不同的結構實現了壓倒性的減薄.該系列使用了一種新結構,該結構不同于使用導電膠,陶瓷封裝和蓋材料的常規產品,以實現緊湊,薄型和高可靠性.Arch.3G系列在石英晶體振蕩器和振蕩器方面實現了世界上最薄的厚度,其厚度不到傳統結構的一半.這種薄度使得可以提出有助于節省空間的新價值,例如將這種產品堆疊在硅片上并將其嵌入模制的SiP(系統級封裝)模塊或基板中.
該系列可作為產品樣品提供,已于2018年5月開始量產.
DS1008J晶振基本信息表:
系列名稱
Arch.3G
采用
內置SiP/IC,智能手機,IoT設備,可穿戴設備,汽車應用
生產基地
鳥取辦事處/德島辦事處
諧振器
振蕩器
SPXO
TCXO
產品名稱
DX1008J
DX0806J
DS1008J
DB1008J
外形尺寸
1.0×0.8mm
0.8×0.6mm
1.0×0.8mm
1.0×0.8mm
厚度(典型值)
0.13mm
0.13mm
0.23mm
0.23mm
預定量產
2018年5月
未定
2018年5月
2018年5月
對于常規結構,隨著產品變小,當將晶體元件安裝在包裝中時,趨于更難以確保諸如導電粘合劑的施加精度和安裝位置的裕度.為了解決這個問題,有必要從根本上審查產品和工藝設計.
該系列使用了我們獨立開發的粘合技術FineSeal技術來創建WLP(晶圓級封裝),該晶圓以石英晶體為基礎材料粘合三層晶圓,以實現與傳統結構相同的氣密性.它發生了.利用這種結構,可以在不使用導電粘合劑的情況下將保持部和振動部一體化,并且在解決上述工藝問題的同時,還導致耐沖擊性的顯著提高.另外,通過在真空氣氛中進行晶片清潔和鍵合,大大降低了質量風險.借助這些,我們還將為要求更高可靠性的汽車應用(例如自動駕駛)做出貢獻.
另外,由于該工藝,AT切割的貼片晶振器件在質量和生產率上存在問題,因為晶體元件隨著頻率增加而變薄.另一方面,在Arch.3G系列中,采用WLP可以簡化生產過程中的處理并解決這些問題.展望未來,我們將為WiFi市場等信息網絡相關產品推薦該產品,該產品預計將支持高達200MHz左右的高頻,并且由于更高的速度和更大的容量以及更高的數據中心需求而需要更高的頻率.
此外,通過實現壓倒性的超薄設計,有望在新的晶體器件安裝場景中提供價值,例如被內置到有望進一步增長的SiP模塊和IC封裝中.另外,由于可以靈活地支持封裝端子設計,因此它是可以形成各種外部端子(例如與引線鍵合兼容的形狀)的產品.
<與常規產品的比較>
石英晶體諧振器比較圖
石英晶體振蕩器比較圖
<產品規格>
|
項目/型號 |
DS1008J |
|
外形尺寸 |
1.0×0.8×0.23mmTyp. |
|
輸出頻率 |
1~100MHz |
|
電源電壓 |
1.6~3.6V |
|
消費電流 |
1.3mA(Vcc=1.8V,48MHz),2.0mA(Vcc=1.8V,96MHz) |
|
頻率公差 |
±20×10―6,±30×10―6,±50×10―6,±100×10―6 |
|
工作溫度范圍 |
-40~+85℃ |
|
輸出水平 |
CMOS |
|
儲存溫度范圍 |
-40~＋85℃ |
|
包裝單位 |
3000pcs./reel(∅180) |
*其他規格請聯系我們.
<外觀>
<術語解釋>
[Arch.3G]
這是第三代晶體器件的商標,該器件已經革新了傳統產品,并被稱為"ArcSleezy".目前正在申請商標注冊.
[SiP]
"包裝中的系統"的縮寫.在一個封裝中包含半導體芯片和焊接部件的系統.
[SPXO]
簡單封裝晶體振蕩器的縮寫.沒有溫度控制或溫度補償的晶體振蕩器.
[TCXO]
溫補晶體振蕩器的縮寫.晶體振蕩器帶有溫度補償電路,可減少由于環境溫度變化而引起的頻率波動.
[WLP]
晶圓級封裝的縮寫.在晶圓狀態下執行封裝.
[AT切]
頻率變化量隨溫度變化的切削方向呈三次曲線.AT切割晶體片可在很寬的溫度范圍內提供穩定的頻率,并且最常用于MHz頻段的晶體器件中.
[基本面波]
一種以給定振動模式的最低階(一階)運行的類型.
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