TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振
頻率:13~55MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振,ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設計(ERD)的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術的界限。這些突破性產品為石英晶振,TCXO溫補晶振和OCXO設立了新標準,創造了當今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術。
無論您需要新技術,如M-SAC增強型振蕩器,還是簡單的基本石英晶振,艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應用選擇合適的解決方案,并在整個設計周期和生產過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業知識,我們很高興能夠應對您的設計挑戰和產品需求。
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振, 貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。
Parameters | Specification | Remarks | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Frequency range | F_nom | 13.0MHz ~ 55.0MHz |
Limited frequencies available: 16MHz, 16.368MHz, 16.384MHz, 16.8MHz, 19.2MHz, 20MHz, 26MHz, 27MHz, 30MHz, 32MHz, 38.4MHz, 40MHz |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
Supply voltage | Vcc | 1.8V ±0.1V, 2.8V ±5%, 3.0V ±5%, 3.3V ±5% | Supply voltage range: 1.7V to 3.63V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Initial frequency tolerance | F_tol | ±1.5ppm max | At +25°C, after reflow | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Frequency stability |
vs Temperature | F_stb | ±0.5ppm max over ‐40°C ~ +85°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
±2.0ppm max over ‐40°C ~ +85°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
vs Load | F_load | ±0.1ppm max | ±10% load condition change | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
vs Voltage | F_Vcc | ±0.1ppm max | ±5% input voltage change | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
vs Aging | F_age | Table 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Current consumption | Icc | Table 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Operating temperature range (°C) | Topr | ‐40°C ~ +85°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Storage temperature (°C) | Tstg | ‐40°C ~ +90°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Output wave form | Clipped sine wave | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Output voltage level | 0.8V p‐ p (min.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Output Load | 10K?//10pF | DC cut capacitor = 0.01 μ F | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Start‐ up time | T_str | 1.0ms max | Reach 90% amplitude at +25°C |


抗沖擊
晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
暴露于輻射環境會導致石英貼片晶振晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑/pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振.
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進口有源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
微信公眾號:CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區41區甲岸路19號
相關的產品 / Related Products
- NKG晶振,S2M48.0000F20M2Z-EXT,2520mm晶振,6G路由器晶振
NKG晶振,S2M48.0000F20M2Z-EXT,2520mm晶振,6G路由器晶振,NKG晶振,進口晶振,S2M無源晶振,貼片晶振,S2M48.0000F20M2Z-EXT晶振,2520mm晶振,四腳封裝晶振,石英晶體諧振器,SMD晶振,頻率48MHz,負載20pF,頻率容差20ppm,工作溫度-40~85°C,抗震動晶振,高可靠性晶振,低老化晶振,6G路由器晶振,網絡交換機晶振,千兆以太網晶振,數字設備晶振.
- Silicon品牌,Si50122-A5-GMR,6G網絡附屬存儲晶振
- Silicon品牌,Si50122-A5-GMR,6G網絡附屬存儲晶振,Silicon晶振,Si50122-A5貼片石英晶振,有源晶振,Si50122-A5-GMR晶振,石英振蕩器,2520mm晶振,SMD晶體,集成CMEMS的無晶時鐘發生器,符合PCI-Express Gen 1/2/3標準,頻率100MHz,電壓2.97~3.63V,頻率穩定性100ppm,工作溫度-40~85°C,小體積晶振,高品質晶振,耐高溫晶振,6G網絡附屬存儲晶振,多功能打印機晶振,通信設備晶振,音頻系統晶振.
- Si50122-A3-GMR|2520mm|Silicon品牌|6G無線網絡晶振
- Si50122-A3-GMR|2520mm|Silicon品牌|6G無線網絡晶振,Silicon晶振,Si50122-A3進口有源晶振,Si50122-A3-GMR晶振,石英晶體振蕩器,2520mm晶振,SMD晶振,歐美晶振,頻率100MHz,電壓2.97~3.63V,頻率穩定性100ppm,工作溫度-40~85°C,低相位抖動晶振,低功耗晶振,高可靠性晶振,6G無線網絡晶振,數字電視晶振,家用電視機頂盒晶振,家用網關晶振.
JLX-PD
金洛鑫產品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
- 嘉碩晶振
- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ITTI晶振
- Oscilent晶振
- ACT晶振
- Rubyquartz晶振
- MTI-milliren晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- ARGO晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振