精工愛普生株式會社(總經理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”)2008年期間在蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產,并且成立研發中心.因為智能手機,以及GPS衛星導航的普及,有源晶振得到迅速的發展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2016mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產品型號,愛普生料號等.
愛普生晶振小體積SMD時鐘晶體諧振器,是音叉型貼片晶振,千赫頻率元件,應用于時鐘模塊,智能手機,全球定位系統,因產品本身體積小,SMD編帶型,可應用于高性能自動貼片焊接,被廣泛應用到各種小巧的便攜式消費電子數碼時間產品,環保性能符合ROHS/無鉛標準.1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.愛普生晶振,溫補晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振
愛普生晶振,溫補晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振.產品本身具有溫度補償功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
愛普生晶振 |
標示 |
TG2016SAN晶振 |
晶振基本信息對照表 |
標準范圍 |
f0 |
13.000MHz~40.000MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+1.1V~+1.4V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5mA max. |
Vcc=3.3V |
頻率負載 |
L_CMOS |
10pF |
|
標準頻率偏差 |
f_tol |
±2.0×10-6 max.
|
初期偏差、 |
輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對稱 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
標準時間 |
tr/tf |
12ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90% |
X1G0044210005晶振系列原廠編碼規格表:
原廠編碼
型號
頻率
封裝
頻率公差
工作溫度
頻率穩定性
X1G0044210003
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
X1G0044210004
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
X1G0044210005
TG2016SAN
38.400000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
X1G0044210007
TG2016SAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能會導致2016低消耗晶振引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的日本溫補晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致高性能TCXO晶振無法產生振蕩和/或非正常工作。
愛普生TG2016SAN溫補晶振系列型號:
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。愛普生晶振,溫補晶振,TG2016SAN晶振,X1G0044210005晶振
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。有源晶體振蕩器振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。