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首頁(yè) 精工晶振

精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

SEIKO-1 SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫,也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商,同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件,在石英振子這一方面,SII也是做的非常之出色的,目前,能夠與日本精工晶振全球同等級(jí)競(jìng)爭(zhēng)的,只有日本大真空KDS。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號(hào)并不是很多,但是質(zhì)量絕對(duì)可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。
生活中手機(jī)應(yīng)用到的晶振精工SSP-T7-F是最合適不過(guò)了。超輕薄的貼片晶振。體積達(dá)到7.0*1.5mm。可以和一粒米相提并論了。適合用在高密度表面安裝,它采用塑料模封裝設(shè)計(jì),內(nèi)有高可靠的管狀石英晶體,提供的頻率32.768KHZ,負(fù)載電容為6.0pF或12.5pF。金屬外殼的使用使得VT-200-F圓柱音叉表晶在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,優(yōu)良的電氣特性。除了體積2*6的圓柱晶振,精工還研發(fā)出最小最輕的音叉晶振,體積僅有4.7*1.2mm(VT-120-F)。不過(guò)這款插件晶振的價(jià)格也是相比VT-200-F單價(jià)比較貴的。
JLX-1

SEIKO-2

精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù):時(shí)鐘晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算)。注意:在石英晶振晶體測(cè)量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距(誤差),所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測(cè)試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A,SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測(cè)試機(jī)用平移法進(jìn)行測(cè)試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測(cè)量技術(shù):引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器,準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm(國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn))。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性.
JLX-2

RB-1

精工晶振

單位

VT-120-F晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-30°C~+70°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C~+60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.1μW Max.

推薦:1μW

頻率公差

f_— l

±20/±30/±50×10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±20/±50×10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

6pF/12.5pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~ +85°C,DL =1μW

頻率老化

f_age

±3×10-6/year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

VT-120-F 4.7-1.2JLX-4

RB-4

所有石英晶體諧振器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振
熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的圓柱晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥埃瑧┱?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確保晶振能正常工作。關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片,以及相對(duì)而言頻率與超音波清潔器相近,所以會(huì)由于共振而容易受到破壞,因此請(qǐng)不要用超音波清潔器來(lái)沖洗晶振。JLX-5

RB-5

晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了32.768K插件晶振這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。精工晶振,石英晶振,VT-120-F晶振,引腳音叉晶振
角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在32.768K時(shí)鐘晶體振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

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測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用32.768K晶振微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致音叉表晶振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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