康納•溫菲爾德公司在所有層次上都致力于滿足客戶的所有要求，通過(guò)不斷的測(cè)量、審核和改進(jìn)我們的產(chǎn)品、服務(wù)以及質(zhì)量管理體系的有效性，提高客戶滿意度。我們相信質(zhì)量在我們的產(chǎn)品組裝之前就已經(jīng)開始了。通過(guò)保持我們的ISO 9001質(zhì)量體系認(rèn)證，持續(xù)改進(jìn)我們的流程是我們不斷超越客戶期望的承諾。康納溫菲爾德的子公司和業(yè)務(wù)單位包括康諾-溫菲爾德全球計(jì)時(shí)解決方案，NavSync,Ltd .，Janus遠(yuǎn)程通信和混合電路工程。
CONNOR-WINFIELD晶振集團(tuán)建立一種可測(cè)量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評(píng)審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動(dòng)中不斷監(jiān)測(cè)和改進(jìn)環(huán)境績(jī)效。通過(guò)對(duì)生產(chǎn)活動(dòng)的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對(duì)低效或無(wú)效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個(gè)免于事故的工作場(chǎng)所。重視污染預(yù)防，消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過(guò)員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效。

Connor-Winfield晶振,溫補(bǔ)晶振,TFLD546晶振.產(chǎn)品本身帶溫度補(bǔ)償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
康納溫菲爾德有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。

＜晶體諧振器＞
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無(wú)源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍 以上。
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí)，請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過(guò)程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考