SiTime晶振的MEMS技術起源于博世和斯坦福大學。在我們的創始人創立SiTime之前，他們花了數年時間，在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發挽救生命的MEMS解決方案。我們已經向世界各地的客戶提供了超過7億部份的產品，在MEMS的時間安排上有90%的份額，并且每年都在以超過50%的速度增長。SiTime是兆大公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司。SiTime于2013年進入智能手機市場，第一個是移動電話的MEMS振蕩器，現在可穿戴設備和物聯網應用正在快速增長。
我們讓oem廠商和ODMs都很容易使用SiTime貼片晶振。我們的QFN振蕩器是100%的替代石英振蕩器，而不需要任何板上的改變。另外，我們的可編程架構使最靈活的產品具有更多的特性和超快的交貨期。SiTime解決方案是一個很容易的選擇——一旦我們的客戶使用SiTime產品，他們很少會回到quartz。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振

SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振.是針對電池供電應用而優化的超小型，超低功耗32.768 kHz TCXO。 SiTime的硅MEMS技術使全球最小的封裝和芯片級封裝（CSP）中的首款32 kHz TCXO成為可能。典型的內核電源電流僅為1μA。與標準振蕩器不同的是，SiT1552具有NanoDrive™（工廠可編程輸出），可降低電壓擺幅以最大限度地降低功耗。TCXO頻率穩定性SiT1552在多個溫度點進行出廠校準（微調），以確保在整個溫度范圍內具有極高的穩定性。
SiTime貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定。

噪音
在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會引發32.768K溫補晶振功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應，從而導致非正常工作。同時，當P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的32.768K晶體振蕩器的產品特性，并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰，因此安裝時，請檢查安裝方向是否正確。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會導致導航儀有源晶振無法產生振蕩和/或非正常工作。

輸出波形與測試電路
1.時序表

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振

3.測試電路