希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發、設計、生產與銷售。從人工晶棒長成到最終產品,透過最佳團隊組合及先進之生產技術,建立完整的產品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體諧振器、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產品等,以健全的供應煉系統,為客戶提供全方位的服務。
藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合,不斷開發創新及制程改造,以全系列完整產品線,來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進進口貼片晶振開發新產品,多角化經營、擴大市場領域,此亦為公司得以永續經營的方針。勞工職業安全衛生議題近年成為世界各國及企業關注焦點,如何做到‘降低職業災害發生、確保工作場所安全、實施員工健康管理’一直是希華晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業安全衛生管理系統驗證,提供勞工符合系統要求的安全衛生工作環境。本公司于99年起展開“健康活力年、快樂一整年”活動計劃,推行健康檢查、體能檢測、飲食改變、適度體能活動、健康教育講座等活動辦理,改善員工身心健康,提升員工生產力、工作意愿及整體的工作表現,促進勞資和諧、強化公司競爭力、創造企業最大的人力資產。
希華晶振,貼片晶振,SX-3225晶振,進口晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
希華晶振 |
單位 |
SX-3225晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10MHz~125MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10~±15 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
10PF,12PF,16PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C~ +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±15× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點:1:抗沖擊:抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英無源晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3:化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。希華晶振,貼片晶振,SX-3225晶振,進口晶振
4:粘合劑:請勿使用可能導致SMD石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。) 5:鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
機械振動的影響:當晶體諧振器產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致3225mm晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。希華晶振,貼片晶振,SX-3225晶振,進口晶振
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的車載石英貼片晶振諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。接觸振蕩電路。
探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是藍牙專用貼片晶振通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,3225貼片封裝晶體振蕩頻率較低。三.通過電容器測量振蕩級輸出