RENESAS晶振,XFL236156.250000I,LVDS差分晶振,6G基站晶振,RENESAS晶振,XF進口有源晶振,XFL236156.250000I晶振,2520mm晶振,石英基鎖相環振蕩器,LVDS差分晶振,頻率156.25MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,超低相位噪聲晶振,高穩定性晶振,6G基站晶振,FOM齒輪箱應用晶振,數據中心應用晶振.
RENESAS晶振,XFL236156.250000I,LVDS差分晶振,6G基站晶振特點：
•輸出類型:LVDS, LVPECL, CML
•頻率范圍:15MHz至2100MHz
•輸出類型:HCSL
•頻率范圍:15MHz至725MHz
•供電電壓選項:1.8V, 2.5V，或3.3V
•相位抖動(12kHz至20MHz): 120fs典型
•包裝選項:
•5.0 × 3.2毫米
•3.2 × 2.5 mm
•2.5 × 2.0 mm
•工作溫度和頻率穩定性:
•-40°C至+85°C，±25ppm
•-40°C至+105°C，±50ppm
RENESAS晶振,XFL236156.250000I,LVDS差分晶振,6G基站晶振參數表
3ps Typ
項目
符號
規格說明
條件
額定頻率
f_nom
156.25MHz
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓
Vcc
3.3V±0.3V
儲存溫度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作溫度
T_use
-40℃~ +85℃
頻率公差（標準）
f_tol
±25 ppm
+25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息
供電電流
IDD
67mA Max
LVDS 15MHz to 400MHz
差分輸出電壓
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
對稱性
SYM
48%~52%
Atoutputscrossing point
輸出負載
L_LVDS
100Ω
LVDS
輸入電壓
VIH
70%Vcc Min
LVDS
VIL
30%Vcc Max
上升下降時間
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間
t str
5ms Max
VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動
JPER
LVDS
相位抖動
tpj
115fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±3ppm/year
+25℃,第一年
RENESAS晶振,XFL236156.250000I,LVDS差分晶振,6G基站晶振尺寸圖
愛普生晶振,貼片晶振,FA-20HS晶振,FA-20HS 19.2000MF12Y-AG3
Fortiming晶振,TC32-26M000-CV010J,3225晶振,6G光纖通道晶振
Fortiming晶振,TC53A-12M800-AV020B,TCXO晶振,6G基站晶振
TC75-16M800-BV020B,Fortiming晶振,7050mm晶振,6G路由器晶振
Fortiming晶振,TCTS-24M576-BVI025B,TCXO晶振,6G低相噪晶振
富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振
OC14C-32M768-B100DV,Fortiming晶振,OCXO振蕩器,6G網絡終端晶振
NKG晶振,S2M48.0000F20M2Z-EXT,2520mm晶振,6G路由器晶振
香港NKG晶體,S6M25.0000F20M1Y-EXT,6035mm晶振,6G基站晶振
香港NKG晶體,S6GA40.0000F16M25-EXT,6035陶瓷晶振,6G無線應用晶振