QANTEK為每位客戶分配一位作為主要聯系人的客戶經理,負責開發QANTEK資源的業務關系以滿足每位客戶的需求。通過此系統,QANTEK可以保持強大的客戶關系,而響應式服務和支持最重要。QANTEK希望成為您首選的石英晶體諧振器頻率管理產品供應商.
QANTEK的頻率管理組件產品系列因其可靠性,耐用性和性能而廣受認可。我們的無源晶振產品制造符合國際標準和規格。因此,每一臺QANTEK產品都能達到您的期望和超越。此外,我們不斷擴大和升級我們的生產流程,以確保利用新技術來保護和永久改善產品性能和完整性。我們的持續增長和極高的客戶保留水平證明了這一承諾。
QANTEK晶振,貼片晶振,QC5GB晶振,石英SMD晶振,智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振
QANTEK晶振 |
單位 |
QC5GB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
8~60MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:300μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20~50× 10-6 |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.045× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8~32PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
小體積晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。QANTEK晶振,貼片晶振,QC5GB晶振,石英SMD晶振
機械振動的影響:當無源SMD晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英SMD晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在SMD兩腳5032封裝晶振電路上的的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。QANTEK晶振,貼片晶振,QC5GB晶振,石英SMD晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因為緩沖器的輸出是通過陶瓷面封裝無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3,因為在IC上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。
驅動能力:驅動能力說明小型貼片石英晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).