OSI5008-10.0M,Pletronics振蕩器,LVTTL輸出晶振,無線通信設(shè)備晶振,OCXO恒溫振蕩器
在無線通信設(shè)備對頻率穩(wěn)定性要求極為嚴苛的領(lǐng)域,Pletronics 的 OSI5008 - 10.0M 振蕩器表現(xiàn)卓越。它是一款 OCXO振蕩器(恒溫控制晶體振蕩器),采用 LVTTL(低電壓晶體管 - 晶體管邏輯)輸出。OCXO 技術(shù)是該石英晶體振蕩器的核心優(yōu)勢,其內(nèi)部具備恒溫槽,能將石英晶體維持在穩(wěn)定的溫度環(huán)境中,最大程度減少溫度變化對頻率的影響,從而輸出極其穩(wěn)定精準的 10.0MHz 頻率。這對于無線通信設(shè)備至關(guān)重要,穩(wěn)定的頻率能確保信號的準確調(diào)制與解調(diào),減少信號干擾和失真,提高通信的質(zhì)量和可靠性。LVTTL 輸出接口具有低功耗、高速度的特點,能很好地與無線通信設(shè)備的電路相匹配。該Pletronics晶振廣泛應(yīng)用于無線基站、衛(wèi)星通信終端等設(shè)備中,為無線通信系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的時鐘信號,保障數(shù)據(jù)的準確傳輸和處理。
OSI5008-10.0M,Pletronics振蕩器,LVTTL輸出晶振,無線通信設(shè)備晶振,OCXO恒溫振蕩器
Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Condition | ||
Frequency | 5 | - | 40 | MHz | |||
Frequency Stability vs Temperature | ±5 | - | ±10 | ppb | ±3ppb available over temp range 0 to 70°C | ||
Frequency Stability vs Supply | - | - | ±0.5 | ppb | ±5% voltage change | ||
Warm-up | - | - | ±10 | ppb | In 10 minutes @ +25°C, referenced to 1 hour | ||
Aging | - | - | ±0.5 | ppb | per day at time of shipment | ||
- | - | ±50 | ppb | per year | |||
- | - | ±0.3 | ppm | 10 years | |||
Operating Temperature Range | -40 | - | +85 | °C | |||
Supply Voltage1VCC | 4.75 | 5.0 | 5.25 | V | 3.3V input voltage available | ||
Current | - | - | 850 | mA | @turn on | ||
Steady State | - | - | 1.3 | W | @ 25°C | ||
Spurious | - | - | -60 | dBc | |||
Phase Noise 10 Hz
100 Hz
1 kHz
10 kHz
|
- |
-120 -135 -145 -150 |
- | dBc/Hz | |||
Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C | |||
Vcontrol Range | 0 | 2.5 | 5.0 | V | |||
Pullability | ±0.5 | - | - | ppm | Slope positive | ||
Input Impedance | 100 | - | - | k? | |||
Output Waveform | LVTTL | Sinewave output is available | |||||
“1” Level | 2.4 | - | - | V | |||
“0” Level | - | - | 0.4 | V | |||
Load | - | 15 | - | pF | |||
Duty Cycle | 45 | 50 | 55 | % | @+1.4V |
OSI5008-10.0M,Pletronics振蕩器,LVTTL輸出晶振,無線通信設(shè)備晶振,OCXO恒溫振蕩器
OSI5008-10.0M,Pletronics振蕩器,LVTTL輸出晶振,無線通信設(shè)備晶振,OCXO恒溫振蕩器
所有產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。