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首頁 加高晶振

加高晶振,貼片晶振,HSX221G晶振

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產品簡介

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率.

產品詳情

JG-1

加高電子(H.ELE。)是頻率元件的專業制造商,目前所提供之石英晶體(水晶),晶體振蕩器(振蕩器)之生產及銷售規模居全臺領先地位。我們確實遵循RoHS(歐盟電子電機產品有害物質禁止用指令),SONY技術標準文件(SS-00259)及其他法規與客戶要求,推動環境教育活動,持續強化全員及供應商的環保觀念及認知重視無有害物質的產品及生產過程,致力推動設計綠色產品。
為員工提供安全與健康的工作場所和環境,嚴格遵守勞工安全衛生相關法規,OHSAS18001職業安全衛生管理系統及社會責任國際規范,以預防工作人員在發生職業災害,進而降低工作環境中的危險因素。重視各項社會問題,投入適合企業參與之公益事業,為社會增添關懷及溫暖。立供應商管理體系與規范,并擴大采購環境保護產品與禁止使用沖突礦產區產品。

JLX-1

JG-2

加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
加高石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。

JLX-2

RB-2

加高晶振

單位

AT-49晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

3.000MHZ~75.000MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-30°C~+80°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+60°C

標準溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±10 × 10-6(標準),
(±10× 10-6~
±100× 10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±10× 10-6~±100× 10-6/-10°C~+60°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF~32PF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-10°C ~+60°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

AT-49

JLX-4

RB-4

<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。

cptj11

限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。

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