GXO-U108H/I-14.7456MHz,英國進(jìn)口晶振,GXO-U108H振蕩器,7050貼片晶振,高利奇晶振
GXO - U108H/I - 14.7456MHz 是英國Golledge晶振,采用 7050mm貼片封裝。這種封裝設(shè)計不僅便于在電路板上進(jìn)行安裝,還能適應(yīng)高密度的電子集成需求。該振蕩器能提供精準(zhǔn)的 14.7456MHz 頻率,為各類電子設(shè)備提供穩(wěn)定的時鐘信號。在電子系統(tǒng)中,穩(wěn)定的時鐘信號是確保設(shè)備正常運(yùn)行、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確傳輸?shù)年P(guān)鍵。這款進(jìn)口有源晶振憑借其卓越的性能,在復(fù)雜的工作環(huán)境中也能保持出色的穩(wěn)定性。
它具有良好的抗干擾能力,能夠有效抵御外界電磁干擾和溫度變化等因素的影響,減少頻率漂移,保證設(shè)備運(yùn)行的可靠性。無論是在通信設(shè)備、計算機(jī)硬件,還是工業(yè)控制領(lǐng)域,GXO - U108H石英振蕩器都能發(fā)揮重要作用,為設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)的保障。
GXO-U108H/I-14.7456MHz,英國進(jìn)口晶振,GXO-U108H振蕩器,7050貼片晶振,高利奇晶振
頻率范圍 | 1.8 ~ 80.0兆赫 |
尺寸 | 7.5 x 5.0 x 1.4 毫米 |
儲存溫度范圍 | -55 至 +125°C |
電源電壓 (VDD 系列) | +5.0V (±0.5V) |
電源電流 | 最大 27mA (≤32.0MHz) |
電源電流 (mA max) | 最大 45 mA (>32.0 ~ 50.0MHz) |
最大 75 mA (>50.0 ~ 80.0MHz) | |
邏輯電平 | “0”電平 = 10%VDD 系列最大 |
“1”電平 = 90%VDD 系列分鐘 | |
啟動時間 | 最大 5ms (≤32MHz) |
最大 10ms (>32MHz) | |
波形對稱性 | 最大 45:55 |
駕駛能力 | 10 TTL |
50pF CMOS | |
上升/下降時間 | 最大 7ns (<80MHz) |
啟用/禁用功能 | 三態(tài)(通過焊盤 1 控制) |
100ns / 100ns | |
凈質(zhì)量 | 135 毫克 |
GXO-U108H/I-14.7456MHz,英國進(jìn)口晶振,GXO-U108H振蕩器,7050貼片晶振,高利奇晶振
GXO-U108H/I-14.7456MHz,英國進(jìn)口晶振,GXO-U108H振蕩器,7050貼片晶振,高利奇晶振
所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。