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Golledge晶振商業團隊是該行業最有經驗的團隊之一。我們的知識淵博的工程師和銷售團隊致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設計到全面生產。我們的注冊到iso - 9001 :2015強調了對質量的全面承諾，同時我們的產品的完整性由我們的專門的內部測試和測量實驗室確保。電子技術和技術相關產業正在迅速發展。隨著技術進步和商業世界的發展，golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。我們的理念是以產品和服務的質量和一致性為基礎的。我們致力于為業界提供最高的服務質量。我們的持續增長和極高的客戶保留水平是這一承諾的證據。
Golledge是英國發展最快的頻率產品供應商。我們在競爭激烈的市場上繼續成功是對我們的石英晶振產品質量和出色的服務的敬意。總部位于西英格蘭心臟地帶的一個美麗的轉換農場建筑的收集，golledge向全世界50多個國家的出口，占收入的60%以上。我們的專業和高效的方法使我們成為許多領先的電子設備OEM和河北的首選供應商。專職it人員確保我們的運營得到最高質量和安全性系統的支持。

小巧便捷式石英晶振,1612貼片封裝諧振器,GSX-211晶振

Golledge晶振,貼片晶振,GSX-309晶振,進口石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

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Golledge晶振	單位	GSX-309晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	4~30MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1~0.5μW Max.	推薦:0.1~0.5μW
頻率公差	f_— l	±30,±50× 10-6(標準)	+25°C對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.zrwej.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30,±50× 10-6/-20°C～+70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	16,18,20,30pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD石英晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-309晶振,進口石英晶振
所有產品的共同點:1：抗沖擊:抗沖擊是指陶瓷面封裝晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英四腳晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

振蕩補償:除非在大體積貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-309晶振,進口石英晶振

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在11.7*4.8無源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過陶瓷殼無源晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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