較低的CL和較低的ESR提高了回路的運行增益裕度,確保了所有變量的持續振蕩,包括偏差,負載,溫度和時間變化。 Gm_critical是晶振必須實現的關鍵跨導值,以保持在環路運行的安全區域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配,并可能導致與啟動相關的長期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical,部署在物聯網和可穿戴應用中的節能設計最有可能發生故障。進行PAS測試可降低風險并提高系統的可靠性。
由于大多數Pierce振蕩器的跨導(gm)繼續向前所未有的低水平下降,所以ABRACON石英晶體不僅被迫尺寸較小,而且還提供非常低的電鍍負載(CL)和低等效串聯電阻(ESR)參數選項。滿足節能MCU和RF芯片組要求的最低gm_critical要求取決于保持低CL,ESR和C0參數的保證。這需要在晶體上采用新的非平凡電鍍設計,同時降低CL和ESR,并且仍然可以保證低溫度和老化效應的規格。ABRACON新的石英晶體電鍍設計使得下一代Pierce振蕩器能夠在能夠保持振蕩的情況下運行在煙霧上。電子行業有一個非常一致的趨勢,直接取決于時間 - 隨著技術越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設計要求,取決于行業需求,已經成為至關重要的。
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產品無鉛對應),為無鉛產品.
通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。
Abracon晶振 |
單位 |
ABM10W晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16~50MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
4pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計數器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個信號,如果沒有信號輸出,請按照步驟1-1到1-4步執行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號,而是從在終端(辛)輸出沒有信號,請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試晶振的頻率和負載電容,看看他們是否能振動,也可以使用專業的石英進口晶體測試儀器來檢測 。如果你沒法檢測你也可以將不良品發送給我公司,我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發生,晶振不起振,首先你先查看你產品上使用的負載電容CL是否對,是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產品發送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話,我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下:
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過2520四腳貼片晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520無源晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過移動設備晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致智能手機晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。