Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專門設計用于解決越來越多的低功耗趨勢，從而導致設計人員在整個行業(yè)中面臨的跨導值下降。這些IoT優(yōu)化的石英晶體與業(yè)界最低的gm_critical設計兼容。對于50MHz操作，ABM8W / ABM10W / ABM11W / ABM12W系列保證在gm_critical低至3.55mA / V的條件下工作。 ABS06W / ABS07W系列保證工作在1.1μA/ V以上的gm_critical。鑒于許多常見的MCU，例如ST Micro系列STM32M4F / STM32F3 / STM32F4 / STM32L4，其在32.768kHz操作下在1μA/ V附近顯示gm_critical，使用非常低的鍍層晶體的關鍵性是巨大的。 Abracon的新型IoT優(yōu)化晶體系列目前在世界上提供了最低的負載電容選項。
Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設計，可幫助您為行業(yè)領先的設計做出正確的選擇。 PAS測試驗證了電路中的石英晶體諧振器性能，同時測量晶體，晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應。測試系統(tǒng)中所有變量的帳戶，并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實現(xiàn)理想的匹配。這對于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術尤其重要。
Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無源音叉晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
32.768K晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
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Abracon晶振 |
單位 |
AB38T晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1μW Max. |
推薦:1μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.034,-0.040,-0.028 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3,±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于音叉型晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英K級晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(2) 請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
振蕩補償:除非在壓電石英晶體諧振器振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無源音叉晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量KHZ圓柱型音叉石英晶體頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768K圓柱晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過32.768KHz晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
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