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首頁 KDS晶振

KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體

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產品簡介

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.

產品詳情

KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,KDS大真空晶振以優良的產品迅速占領了中國市場,KDS晶振品牌以在國內電子元件中深入民心,KDS晶振以專業化系統在全國各地的工廠生產.KDS以高超的生產技術,一流的生產設備,KDS晶振產品價格 “更便宜,更快,更好的產品”,節省勞動力,自動化生產設施的優勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,KDS還擁有遍布全球的銷售網絡,另外在大陸地區有極少數的代理商.深圳市金洛電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設有辦事機構,能快速準確的為客戶提供高品質的KDS產品以及優質的服務,在行業內有一定的知名度.自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷,從最初的32.768K晶振為主,到現在以小體積貼片石英晶振,石英晶體振蕩器為主,體積已經是全世界OSC振蕩器之中最小的.

KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。


項目
型名 DST1610A DST1610AL DST210AC
周波數範囲 32.768kHz
負荷容量 12.5pF
勵振レベル 0.1μW(0.5μWmax.)
周波數許容偏差 ±20×10−6(at25℃)
直列抵抗 50kΩmax. 80kΩmax.
頂點溫度 +25℃±5℃
二次溫度係數 −0.04×10−6/℃2max.
動作溫度範囲 −40~+85℃
保存溫度範囲 −40~+85℃
並列容量 1.6pFtyp. 1.3pFtyp. 1.2pFtyp. 1.3pFtyp.
梱包単位(1) 3000pcs/reel(φ180)

DST1610A 1610

1.電源旁路電容在使用晶振時應注意以下事項:

1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英貼片晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

DST1610A DST1610AL DST210AC 11

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致KDS晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負載電容特征圖器

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