有許多不同類型的晶體振蕩器。OCXOs、TCXOs和VCXOs是世界上常見類型的振蕩器。各有各的優缺點。首席RF工程師的核心職責之一是選擇最適合其設計和應用的石英晶體振蕩器。
如果您希望能夠微調頻率源并獲得穩定、可靠的信號,壓控晶體振蕩器(VCXO)可能正是您正在尋找的解決方案。讓我們來探討VCXO的優勢,以及如何將其應用到您的設計中。
VCXO振蕩器的獨特之處是什么
就像任何其他類型的晶體振蕩器一樣,VCXO使用晶體的振動來產生信號。VCXO振蕩器的獨特之處在于使用二極管來調諧信號頻率,這一過程被稱為“牽引”頻率,以百萬分之一(ppm)為單位。
這通常是通過在晶體的兩側放置變容二極管或變容二極管來實現的,通過在二極管兩端施加電壓,它們將共同充當可變電容器,從而根據需要拉動頻率。這被稱為控制電壓或調制電壓。由控制電壓引起的頻率變化量稱為偏差。偏差與控制電壓量的關系可以用圖形測量,并以一種稱為斜率極性或傳遞函數的格式顯示。
頻率控制和VCXOs
有許多因素這影響了VCXO有源晶振發射的頻率可以改變的程度,包括施加的控制電壓量、使用的晶體類型和電路設計。頻率在特定電壓變化時的調諧范圍稱為牽拉能力。該值越高,調諧范圍越大。所需的拉拽量取決于VCXO的具體應用,但必須了解拉拽頻率會對其產生負面影響。
拉低頻率的過程使其不太穩定,并可能增加相位噪聲。VCXO壓控晶振的可拉性越低,其信號越穩定,噪聲越小。溫度漂移也是這類振蕩器的一個問題,但在振蕩器中加入溫度補償設計有助于抵消這一問題。
VCXOs的應用
VCXOs廣泛用于廣播和電信設備。它們用于設計時鐘發生器以提供定時信號,從而保持電路運行同步。它們也常用于窄帶鎖相環應用中,以提供頻率變化。
然而,VCXO不應被視為與其他類別不重疊的獨特振蕩器類別。這種使用附加電壓調節頻率的方法可以應用于多種類型的晶體振蕩器,包括溫度補償(TCXO)和恒溫控制(OCXO)設計,因此不同應用的VC/OCXO和TC/VCXO型號并不少見。
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VCXO的確切規格取決于使用它的系統,因此為了使最終產品按預期工作,提前確定所需的頻率范圍非常重要。
無論您是在市場上購買高品質VCXO石英晶振還是任何其他類型的晶體振蕩器,Bliley都能滿足您的需求。自1930年以來,我們世界一流的工程師在振蕩器設計和性能方面一直處于領先地位,這一卓越傳統一直延續至今。
壓控振蕩器旨在滿足軍用標準的嚴格要求,并為OEM設備制造商提供長壽命。Bliley Engineers的并行設計理念提供了穩健的設計,既經濟又可靠,可長期使用。應用包括衛星通信、電信、軍事和儀器儀表。
Family
Type
Freq Range
Stability
Temp Range
Pull Range
Supply
Package
BVCB
CMOS/TTL
10 MHz to 170 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
2.5v
5.0mm x 7.0mm
PLL Option
HCMOS
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
3.3v
±50ppm
±100ppm
5v
BVCS(9/A)
CMOS/TTL
1 to 200 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
9.0mm x 14.0mm
HCMOS
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
(4-pad or 6-pad)
±25ppm
-55°C to +125°C
±100ppm
±50ppm
BVCS(9/A)
Sine
1 to 200 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
9.0mm x 14.0mm
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
(4-pad or 6-pad)
±25ppm
-55°C to +125°C
±100ppm
±50ppm
BVCS(H/J)
Sine
1 to 200 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
Low Profile
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
9.0mm x 14.0mm
±25ppm
-55°C to +125°C
±100ppm
(4-pad or 6-pad)
±50ppm
BVCS(H/J)
Clipped Sine
1 kHz to 250 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
Low Profile
CMOS/TTL
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
9.0mm x 14.0mm
HCMOS
±25ppm
-55°C to +125°C
±100ppm
(4-pad or 6-pad)
±50ppm
BVCS5
CMOS/TTL
10 to 170MHz
±25ppm
-20°C to +70°C
±50ppm
2.5v
5.0mm x 3.2mm
HCMOS
±50ppm
-40°C to +85°C
±100ppm
3.3v
±100ppm
5.0v
BVCS5
CMOS/TTL
10 to 170MHz
±25ppm
-20°C to +70°C
±50ppm
2.5v
5.0mm x 3.2mm
PLL Option
HCMOS
±50ppm
-40°C to +85°C
±100ppm
3.3v
±100ppm
5.0v
BVCS9
LVDS
8 MHz to 1.5 GHz
±25ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
2.5v
9.0mm x 14.0mm
PECL
±50ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
3.3v
±100ppm
-55°C to +125°C
±100ppm
5.0v
BVCSB
CMOS/TTL
1 to 170 MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
5.0mm x 7.0mm
HCMOS
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
±50ppm
±100ppm
BVCSB
LVDS
10 MHz to 1.45 GHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
2.5v
5.0mm x 7.0mm
LVPECL
±20ppm
-40°C to +85°C
±50ppm
3.3v
±50ppm
±100ppm
BVCT4
Sine
1 to 200MHz
±10ppm
-20°C to +70°C
±25ppm
3.3v
14-pin DIP
CMOS/TTL
-40°C to +85°C
±50ppm
5.0v
±20ppm
-55°C to +85°C
±100ppm
±50ppm